OptoDiode多像元光電二極管是電子檢測理想的選擇，分段光電二極管光譜應用范圍是250nm-1100nm，存儲和工作溫度在環境下是-10°C~40°C，在氮氣或真空是-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。
響應性好，噪音低，OptoDiode多像元光電二極管
美國OptoDiode分段光電二極管有紅色增強型和紫外線增強型分段探測器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探測器存儲和工作溫度在環境下是-10°C~40°C，在氮氣或真空是-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。超過這些參數的溫度可能會在有源區產生氧化物生長。隨著時間的推移，對低能量輻射和波長低于150納米的輻射的反應性將受到影響。距離外殼0.080"，持續10秒。發貨時帶有臨時蓋子，以保護光電二極管和導線連接。在拆除蓋子之前，請查看OptoDiode，"IRD檢測器的處理注意事項"。美國OptoDiode分段探測器光子響應性好，噪音低，是電子檢測的理想選擇。
OptoDiode分段光電二極管型號
常見的基板分段探測器是精確歸零或定心應用的理想選擇，提供雙節電池或四節電池配置。
型號
零件編號
描述
有效面積mm2
AXUVPS7
ODD-AXU-096
四光二極管是電子檢測的理想選擇
36.5
ODD-3W-2
ODD-632-007
紅色增強型3.1mm2雙電池光電二極管
3
SXUVPS4
ODD-SXU-013
象限紫外線增強光電二極管
5
SXUVPS4C
ODD-SXU-023
象限紫外線增強光電二極管
5
ODD-3W-2分段光電二極管的特點
- 紅色增強型
- 低噪音
- 高響應
- 高分流電阻
- 扁平的TO-5封裝
在VR=5 V測試條件下，暗電流典型值是0.9na，最大值是5na。VR=10 mV， 分流電阻的典型值是300歐姆。當VR=0 V, f=1MHz，結點電阻是30pF，當VR=10 V, f=1MHz時結點電阻是7.5pF。光譜應用范圍是250nm-1100nm。當λ=633nm, VR=0V時，反應性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，當λ=900nm, VR=0V時，反應性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。當IR=10μA，擊穿電壓最小值是25V，典型值是60V。當VR=0V, λ=950nm時，噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當RL=50Ω, VR=0V，上升時間典型值為190納秒，當RL=50Ω, VR=10V，上升時間典型值為8納秒。反向電壓100V。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。
存儲溫度為-55°C~150°C，工作溫度為-40°C~125°C，引線焊接溫度是260°C。
Opto Diode光電二極管陣列，電子檢測的理想選擇
Opto Diode提供標準和定制配置的多元素或陣列探測器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優點
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測的理想選擇。有保護性蓋板，以保護光電二極管陣列和導線連接。波威Opto Diode光電探測器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進行響應，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個元素的陣列。光電二極管陣列儲存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮氣和真空下溫度是-20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數的溫度可能會在有源區產生氧化物生長。隨著時間的推移，對低能量輻射和150納米以下波長的響應性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續10秒。發貨時帶有臨時蓋子，以保護Opto Diode光電探測器陣列和導線連接。在拆除蓋子之前，請查看應用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測器的處理注意事項"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點,
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板
在25°C時的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時，電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。
AXUV20ELG光電探測器陣列的特點
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板3
AXUV20ELG光電探測器陣列在0.75mmx4.1mm的測試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時，電容,最大值是1nF。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。
SXUVPS4C分段光電二極管
TO-5，5引腳封裝，SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2，在波長254nm時，響應性是0.02A/W。VR=±18V，暗電流典型值是1nA，最大值是100nA。當R=1µA時，反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V，電容典型值是100pF，最大值是300Pf。VR=0V時，上升時間典型值是1微秒。Vf=±10mV時分流電阻是100歐姆。電容與電壓是反比的關系，暗電流與電壓是正比的關系
AXUVPS7分段光電二極管的特點
- 是電子檢測的理想選擇
- 圓形有效區域
AXUVPS7分段光電二極管在25°C時的電光特性，有效面積的典型值是36.5mm2。響應性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，最大值是0.09A/W。當VR為±10mV時，分流電阻最小值為10歐姆，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時，電容的典型值是2nF,最大值是6nf。當VR=2V, RL=50Ω，上升時間最大值是2微秒。
美國Optodiode光電二極管：多像元和陣列探測器
光電二極管提供標準和自定義配置的多元件或陣列探測器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優勢。
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇
Optodiode光電二極管：電子、光子、X射線探測器（AXUV）
AXUV系列探測器的特點是對0.0124nm至190nm的光子、電子或X射線進行高性能測量，并檢測100eV至50keV的能量。
型號 描述
AXUV100G ODD-AXU-010 Large Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20A ODD-AXU-026 Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV300C ODD-AXU-082 Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV576C ODD-AXU-048 Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection
AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測的理想選擇
AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環形光電二極管，輻射探測的理想選擇
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇
光電二極管：EUV增強型探測器（SXUV）
SXUV系列極紫外（EUV）增強型探測器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的極紫外曝光中具有穩定的響應度，是關鍵的EUV光測量的理想選擇。
SXUV100 ODD-SXU-001 Large EUV Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004 High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044 Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008 High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)
SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測器（1nm-190nm）
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測器（1nm-190nm）
SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測器（1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測器（1nm-190nm）
SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測器（1nm-90nm）
光電二極管：集成薄膜、封裝和濾光器組件
光電二極管生產集成薄膜濾波器，用于檢測太陽EUV輻射、軟x射線輻射測量、x射線和EUV光刻、x射線顯微鏡和XUV光譜。我們還生產濾光窗、日光濾光器和多波長封裝組件。
AXUV100TF030 ODD-AXU-019 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF400 ODD-AXU-002 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
SXUV100TF135 ODD-SXU-003 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片
AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管
SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管
